DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM.

У DDR3 уменьшено на 15% (точный процент)[1][2]) потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти.[2] Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм (вначале, в дальнейшем 65-, 50-, 40-нм) техпроцесса при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).

Существуют DDR3L (L означает Low) с ещё более пониженным энергопотреблением до 1,35 В. Это меньше традиционных DDR3 на 10%. [3]

В 2012 году было сообщено о выходе памяти DDR3L-RS для смартфонов. [4]

Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.


Совместимость
Сравнение планок памяти DDR, DDR2 и DDR3 по внешнему виду.

Модули DIMM с памятью DDR3, имеющие 240 контактов, не совместимы с модулями памяти DDR2 электрически и механически. Ключ расположен в другом месте, поэтому модули DDR3 не могут быть установлены в слоты DDR2, сделано это с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других и их возможного повреждения вследствие несовпадения электрических параметров.
В переходный период производители выпускали материнские платы, которые поддерживали установку и модулей DDR2, и DDR3, имея соответствующие разъёмы (слоты) под каждый из двух типов, но одновременная работа модулей разных типов не допускалась.
Спецификации стандартов

DDR3-800     100 МГц     10,00 нс     400 МГц     800 МТ     PC3-6400     6400 МБ/с
DDR3-1066     133 МГц     7,50 нс     533 МГц     1066 МТ     PC3-8500     8533 МБ/с
DDR3-1333     166 МГц     6,00 нс     667 МГц     1333 МТ     PC3-10600     10667 МБ/с
DDR3-1600     200 МГц     5,00 нс     800 МГц     1600 МТ     PC3-12800     12800 МБ/с
DDR3-1866     233 МГц     4,29 нс     933 МГц     1866 МТ     PC3-14900     14930 МБ/с
DDR3-2000     250 МГц     4,00 нс     1000 МГц     2000 МТ     PC3-16000     16000 МБ/с
DDR3-2133     266 МГц     3,75 нс     1066 МГц     2133 МТ     PC3-17000     17066 МБ/с
DDR3-2200     275 МГц     3,64 нс     1100 МГц     2200 МТ     PC3-17600     17600 МБ/с
DDR3-2400     300 МГц     3,33 нс     1200 МГц     2400 МТ     PC3-19200     19200 МБ/с

Возможности
Возможности микросхем DDR3 SDRAM

    Предвыборка 8 байт
    Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
    Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
    Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
    Выполнение CAS Write Latency за такт
    Встроенная терминация данных
    Встроенная калибровка ввода/вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
    Автоматическая калибровка шины данных

Возможности модулей DIMM DDR3

    Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией
    Высокоточные резисторы в цепях калибровки

Преимущества и недостатки
Преимущества по сравнению с DDR2

    Бо́льшая пропускная способность (до 21300 МБ/с)
    Меньшее энергопотребление

Недостатки по сравнению с DDR2

    Более высокая CAS-латентность (компенсируется большей пропускной способностью)